在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 A: 温度杂质浓度 B: 参杂浓度温度 C: 温度温度 D: 杂质的浓度杂质浓度
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 A: 温度杂质浓度 B: 参杂浓度温度 C: 温度温度 D: 杂质的浓度杂质浓度
智慧职教: 杂质半导体中多数载流子的浓度取绝于杂质浓度
智慧职教: 杂质半导体中多数载流子的浓度取绝于杂质浓度
杂质半导体中多子浓度取决于（ ），少子浓度主要与（ ）有关。（只填序号） A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、杂质类型
杂质半导体中多子浓度取决于（ ），少子浓度主要与（ ）有关。（只填序号） A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、杂质类型
中国大学MOOC: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
中国大学MOOC: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
对于补偿材料,在杂质完全电离情况下,载流子浓度决定于两种杂质浓度之差,但迁移率决定于两种杂质浓度的总和。()
对于补偿材料,在杂质完全电离情况下,载流子浓度决定于两种杂质浓度之差,但迁移率决定于两种杂质浓度的总和。()
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质浓度 C: 本征激发 D: 杂质类型
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质浓度 C: 本征激发 D: 杂质类型
1802e427f20c436.png中，A与哪些因素有关？ A: 杂质分布类型 B: 衬底杂质浓度 C: 表面杂质浓度 D: 杂质种类
1802e427f20c436.png中，A与哪些因素有关？ A: 杂质分布类型 B: 衬底杂质浓度 C: 表面杂质浓度 D: 杂质种类
180300e2b968ecb.png中，A与哪些因素有关？ A: 杂质分布类型 B: 衬底杂质浓度 C: 表面杂质浓度 D: 杂质种类
180300e2b968ecb.png中，A与哪些因素有关？ A: 杂质分布类型 B: 衬底杂质浓度 C: 表面杂质浓度 D: 杂质种类
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。