在掺杂半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( );而少数载流子的浓度则主取决温度。
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 掺杂浓度
D: 晶体缺陷
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 掺杂浓度
D: 晶体缺陷
举一反三
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 【单选题】杂质半导体中多数载流子的数量取决于 ,少数载流子的数量取决于 。 A. 掺杂浓度；光度 B. 温度；掺杂浓度 C. 掺杂浓度；温度 D. 掺杂浓度；湿度
- 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度，温度 B: 掺杂工艺，温度 C: 晶体缺陷，掺杂浓度 D: 掺杂工艺，掺杂浓度
- 杂质半导体中多数载流子的浓度主要由__决定，少数载流子的浓度主要由__决定。（ ） A: 温度，温度 B: 掺杂浓度，温度 C: 温度，掺杂浓度 D: 不确定