在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。
A: 掺杂浓度，温度
B: 掺杂工艺，温度
C: 晶体缺陷，掺杂浓度
D: 掺杂工艺，掺杂浓度
A: 掺杂浓度，温度
B: 掺杂工艺，温度
C: 晶体缺陷，掺杂浓度
D: 掺杂工艺，掺杂浓度
A
举一反三
内容
- 0
在掺杂半导体中，少子的浓度受（）的影响很大。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 1
在杂质半导体中,多子的浓度则受()的影响最大 A: 温度 B: 掺杂浓度 C: 掺杂工艺 D: 晶体缺陷
- 2
掺杂半导体中多子的浓度主要取决于掺杂，少子的浓度随温度变化。
- 3
在掺杂半导体中,少数载流子的浓度受((_____))()( )的影响很大。 A: 压力 B: 掺杂浓度 C: 掺杂工艺 D: 温度
- 4
在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（），而少子的浓度则受温度的影像很大。