下列哪种情况下，电子迁移率随温度的上升而上升
A: 杂质浓度低，温度低
B: 杂质浓度高，温度低
C: 杂质浓度低，温度高
D: 杂质浓度高，温度高
A: 杂质浓度低，温度低
B: 杂质浓度高，温度低
C: 杂质浓度低，温度高
D: 杂质浓度高，温度高
B
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 A: 温度杂质浓度 B: 参杂浓度温度 C: 温度温度 D: 杂质的浓度杂质浓度
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 杂质半导体中多子浓度取决于（ ），少子浓度主要与（ ）有关。（只填序号） A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、杂质类型
- 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质浓度 C: 本征激发 D: 杂质类型
内容
- 0
在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关 A: 杂质浓度和温度 B: 温度和禁带宽度 C: 杂质浓度和禁带宽度 D: 杂质类型和温度
- 1
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。 A: 晶体缺陷 B: 温度 C: 杂质浓度 D: 掺杂工艺
- 2
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。 A: 温度 B: 参杂工艺 C: 杂质浓度
- 3
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 4
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A: 掺杂工艺 B: 杂质浓度 C: 晶体缺陷 D: 温度