对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。
对于重掺杂半导体，在低温时，杂质散射起主体作用，而晶格振动散射与一般掺杂半导体的相比较，影响并不大，所以这时侯随着温度的升高，重掺杂半导体的迁移率反而增加；温度继续增加后，晶格振动散射起主导作用，导致迁移率下降。对一般掺杂半导体，由于杂质浓度较低，电离杂质散射基本可以忽略，起主要作用的是晶格振动散射，所以温度越高，迁移率越低。
举一反三
内容
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导体、半导体、绝缘体的电性能为何不同？为什么半导体的导电性能随温度升高而增加？
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掺杂半导体中多子的浓度主要取决于掺杂，少子的浓度随温度变化。
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半导体能得到广泛应用是因为它的导电能力（）。 A: 介于导体和绝缘体之间 B: 会随温度、光照或掺杂而显著变化 C: 强 D: 差
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对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：
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通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。（ ）