1、在低掺杂半导体中，μ随T升高而大幅度下降；在高掺杂时，迁移率随温度变化较小。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
内容
- 0
掺杂半导体中多子的浓度主要取决于掺杂，少子的浓度随温度变化。
- 1
室温附近，本征半导体的电阻率随温度升高单调下降，因此其电阻率一般也比掺杂半导体的低。
- 2
半导体的电阻随温度升高而( ),金属导体的电阻随温度升高而( )。
- 3
若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（）。 A: 本征半导体 B: 金属 C: 化合物半导体 D: 掺杂半导体
- 4
半导体的导电性能会随温度、光照和掺杂杂质的变化而（ ）。 A: 变化 B: 不变 C: 改变