当光照射到半导体上时，半导体材料将吸收光子能量产生电子空穴对。产生在PN结有效扩散长度内的电子空穴对将被内建电场分离，电子被拉向P区一侧，空穴被推向N区一侧，进而产生光生电势差。
举一反三
- 电子空穴对被内建电场分离，光生电子在p区边界积累，光生空穴在n区边界积累。
- 光照下，PN结附近产生大量电子空穴对，被复合的电子空穴有通过扩散到达内建电场区域。
- 当PN结及附近被光照射时，若光子能量大于材料禁带宽度时会产生电子-空穴对，在内电场作用下，电子-空穴分别漂移到（ ）和（ ），使P端电势（ ），N端电势（ ）。 A: P区 N区 升高 降低 B: N区 P区 升高 降低 C: N区 P区 降低 升高 D: P区 N区 降低 升高
- 简述光生伏特效应中正确的是（） A: 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结； B: p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子； C: 平衡载流子破坏原来的热平衡； D: 非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
- 光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负 A: P区 B: N区 C: 中间区 D: 结区