当PN结及附近被光照时,若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对,在内电场作用下,电子、空穴分别漂移到()和(),使P端电势()N端电势(),以下正确的是()
A: P区;N区;升高;降低
B: N区;P区;升高;降低
C: N区;P区;降低;升高
D: P区;N区;降低;升高
A: P区;N区;升高;降低
B: N区;P区;升高;降低
C: N区;P区;降低;升高
D: P区;N区;降低;升高
举一反三
- 当PN结及附近被光照射时,若光子能量大于材料禁带宽度时会产生电子-空穴对,在内电场作用下,电子-空穴分别漂移到( )和( ),使P端电势( ),N端电势( )。 A: P区 N区 升高 降低 B: N区 P区 升高 降低 C: N区 P区 降低 升高 D: P区 N区 降低 升高
- 光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负 A: P区 B: N区 C: 中间区 D: 结区
- 当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。 A: P区; B: N区; C: 结区; D: 中间区。
- 平衡PN结形成的过程中,P区 向N区扩散,电子是在自建电场作用下向 区漂移 A: 空穴,P B: 空穴,N C: 电子,P D: 电子,N
- 平衡PN结形成过程中 A: N区的电势比P区高 B: N区的电势能比P区高 C: N区的空穴向P区扩散 D: N区的电子向P区漂移