以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
一个第IV族元素Ge（4价元素）被一个第V族元素As（5价元素）所取代的情形，As原子和近邻的Ge原子形成共价键后尚剩余一个电子。因为共价键是一种相当强的化学键，束缚在共价键上的电子能量很低，从能带的角度来说，就是处于价带中的电子。多余一个电子受到As+离子静电吸引，其束缚作用是相当微弱的，在能带图中，它位于带隙之中，且非常接近导带底。这个电子只要吸收很小的能量，就可以从带隙跃迁到导带中成为电子载流子。
举一反三
内容
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中国大学MOOC: 3、掺入施主杂质的半导体称为n型半导体，杂质能级离价带很近。
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3、掺入施主杂质的半导体称为n型半导体，杂质能级离价带很近。 A: 正确 B: 错误
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说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？
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施主能级接近导带、受主能级接近价带，相应的杂质称为深能级杂质。 A: 正确 B: 错误
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半导体中施主能级的位置位于（）。 A: 禁带 B: 满带 C: 导带 D: 价带