以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。
A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
举一反三
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V