烧结初期发生了以下_____________________显微结构变化。
A: 晶粒生长
B: 气孔生长
C: 颈部生长
D: 晶界生长
A: 晶粒生长
B: 气孔生长
C: 颈部生长
D: 晶界生长
C
举一反三
- 有关陶瓷烧结中的晶粒生长，下面哪个说法错误？ A: 气孔能够抑制晶粒生长。 B: 晶界移动速率过快，容易包裹气孔在晶粒内部 C: 晶界弯曲导致晶界移动有驱动力。 D: 为了提高烧结密度，不仅温度应越高越好，而且粉体应该大小不一。
- 材料烧结时,晶粒生长是晶界移动的结果,为保证晶粒正常生长,应控制晶界移动速率与气孔移动速率,当()时,晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb< D: 二者没有关系
- 晶粒平行生长和晶粒相对生长都可能形成晶界偏析。
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18032fe8cb9ff0a.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18032fe8d3c89dc.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: VbVp C: VbVp D: 二者没有关系
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18033b1fd7999df.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18033b1fe08f0ed.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb<<Vp D: 二者没有关系
内容
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材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]17de924466ed022.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]17de92447391b93.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>;>;Vp C: Vb<;<;Vp D: 二者没有关系
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晶粒生长是晶界移动的结果，晶界移动的方向是（）。
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在材料的烧结过程中，不会发生晶粒生长的烧结阶段是 A: 烧结初期 B: 烧结中期 C: 烧结后期 D: 烧结中后期
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在材料的烧结过程中，不会发生晶粒生长的烧结阶段是 A: 烧结初期 B: 烧结中期 C: 烧结后期 D: 烧结中后期
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在材料的烧结过程中，不会发生晶粒生长的烧结阶段是 A: 烧结初期 B: 烧结中期 C: 烧结后期 D: 烧结中后期