下列关于屏蔽和去屏蔽区的说法正确的是（ ）。
A: 环状烯烃会形成环流效应，在环内产生去屏蔽区，环内H的化学位移增大。
B: 炔氢处于C≡C键轴方向，受到强烈的去屏蔽效应，因此相对烯氢在低场出峰。
C: 环状烯烃会形成环流效应，在环外产生屏蔽区，环外H的化学位移减小。
D: 炔氢的C≡C键轴方向，受到强烈的屏蔽效应，因此相对烯氢在高场出峰。
A: 环状烯烃会形成环流效应，在环内产生去屏蔽区，环内H的化学位移增大。
B: 炔氢处于C≡C键轴方向，受到强烈的去屏蔽效应，因此相对烯氢在低场出峰。
C: 环状烯烃会形成环流效应，在环外产生屏蔽区，环外H的化学位移减小。
D: 炔氢的C≡C键轴方向，受到强烈的屏蔽效应，因此相对烯氢在高场出峰。
举一反三
- 18-轮烯环内氢的化学位移值小，环外氢的化学位移值大，是因为环内氢在屏蔽区，环外氢在去屏蔽区
- 苯环上的氢因受到苯环的去屏蔽效应，化学位移出现在高场，化学位移较小。
- 在1H NMR分析中，质子(H)核外电子云密度大，则 A: 屏蔽效应强，化学位移大，共振峰出现在高场 B: 屏蔽效应强，化学位移小，共振峰出现在高场 C: 屏蔽效应弱，化学位移大，共振峰出现在高场 D: 屏蔽效应强，化学位移大，共振峰出现在低场
- NMR分析中，质子核外电子云密度大的则（）。 A: 屏蔽效应较弱，相对化学位移较大，共振峰出现在高场 B: 屏蔽效应较强，相对化学位移较小，共振峰出现在高场 C: 屏蔽效应较强，相对化学位移较大，共振峰出现在低场 D: 屏蔽效应较强，相对化学位移较大，共振峰出现在高场
- 乙烯质子的相对化学位移δ比乙炔质子的相对化学位移值大还是小及其原因以下说法正确的是 A: 大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区 B: 大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区 C: 小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区 D: 小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区