下列关于屏蔽和去屏蔽区的说法正确的是（ ）。
A: 环状烯烃会形成环流效应，在环内产生去屏蔽区，环内H的化学位移增大。
B: 炔氢处于C≡C键轴方向，受到强烈的去屏蔽效应，因此相对烯氢在低场出峰。
C: 环状烯烃会形成环流效应，在环外产生屏蔽区，环外H的化学位移减小。
D: 炔氢的C≡C键轴方向，受到强烈的屏蔽效应，因此相对烯氢在高场出峰。
A: 环状烯烃会形成环流效应，在环内产生去屏蔽区，环内H的化学位移增大。
B: 炔氢处于C≡C键轴方向，受到强烈的去屏蔽效应，因此相对烯氢在低场出峰。
C: 环状烯烃会形成环流效应，在环外产生屏蔽区，环外H的化学位移减小。
D: 炔氢的C≡C键轴方向，受到强烈的屏蔽效应，因此相对烯氢在高场出峰。
D
举一反三
- 18-轮烯环内氢的化学位移值小，环外氢的化学位移值大，是因为环内氢在屏蔽区，环外氢在去屏蔽区
- 苯环上的氢因受到苯环的去屏蔽效应，化学位移出现在高场，化学位移较小。
- 在1H NMR分析中，质子(H)核外电子云密度大，则 A: 屏蔽效应强，化学位移大，共振峰出现在高场 B: 屏蔽效应强，化学位移小，共振峰出现在高场 C: 屏蔽效应弱，化学位移大，共振峰出现在高场 D: 屏蔽效应强，化学位移大，共振峰出现在低场
- NMR分析中，质子核外电子云密度大的则（）。 A: 屏蔽效应较弱，相对化学位移较大，共振峰出现在高场 B: 屏蔽效应较强，相对化学位移较小，共振峰出现在高场 C: 屏蔽效应较强，相对化学位移较大，共振峰出现在低场 D: 屏蔽效应较强，相对化学位移较大，共振峰出现在高场
- 乙烯质子的相对化学位移δ比乙炔质子的相对化学位移值大还是小及其原因以下说法正确的是 A: 大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区 B: 大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区 C: 小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区 D: 小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区
内容
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【单选题】在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度降低时() A. 在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度降低时（ C ） B. 屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在低场出现 C. 屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在低场出现 D. 屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现 E. 以上均不正确
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屏蔽效应、去屏蔽效应与化学位移和磁场强度的关系是什么?
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乙烯比乙炔质子的相对化学位移要打,主要原因是()。 A: 由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区 B: 由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区 C: 由于磁的各向异性效应,使得乙烯质子都处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区 D: 由于磁的各向异性效应,使得乙烯质子都处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区
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下面有关化学位移描述正确的是（）。 A: 质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小 B: 质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大 C: 质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小 D: 质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
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对于较重的卤素，除了诱导效应外，还存在一种所谓“重原子”效应（ ）? 诱导效应造成碳核去屏蔽，而“重原子”效应使得抗磁屏蔽增大，对化学位移的影响要看综合作用的结果。|诱导效应和“重原子”效应都使得碳核去屏蔽，造成化学位移值增大。|去屏蔽的诱导效应较弱，而具有抗磁屏蔽作用的“重原子”效应很强，对化学位移的影响以重原子效应为主。|去屏蔽的诱导效应很强，而具有抗磁屏蔽作用的“重原子”效应较弱，对化学位移的影响以诱导效应为主。