半导体光电效应分外光电和内光电效应两大类，两者区别在于半导体内的电子在吸收光子后，是否能克服表面势垒而逸出半导体表面。
举一反三
- 在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）。A．外光电效应 B．内光电效应C．光电发射 D．光导效应 A: 外光电效应 B: 内光电效应 C: 光电发射 D: 光导效应
- 光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为（）效应。 A: 光电导效应； B: 光生伏特效应； C: 内光电效应； D: 光电发射。
- 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,也称为光电发射效应
- 在光线作用下，电子从物体表面逸出的物理现象，称为外光电效应，也称光电发射效应。
- 对于光电发射效应，下列说法不正确的是（） A: 光电发射效应，又称外光电效应 B: 金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区 C: 半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA） D: 良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高