对于光电发射效应，下列说法不正确的是（）
A: 光电发射效应，又称外光电效应
B: 金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区
C: 半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA）
D: 良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高
A: 光电发射效应，又称外光电效应
B: 金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区
C: 半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA）
D: 良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高
举一反三
- 下列关于光电发射效应的逸出功说法错误的是： A: 一般要发生光电发射效应，入射光子的能量有一个要求，必须大于光电材料的逸出功。 B: 电子从发射中心激发到导带所需要的能量越高，逸出功越大。 C: 材料的亲和势越高，逸出功越大。 D: 发射的光电子的初动能越大，逸出功越大。
- 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,也称为光电发射效应
- 3.在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，也称为光电发射效应。( ) A: 正确 B: 错误
- 在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）。A．外光电效应 B．内光电效应C．光电发射 D．光导效应 A: 外光电效应 B: 内光电效应 C: 光电发射 D: 光导效应
- 下列光电器件是基于光电发射效应的是( )。 A: 光电池 B: 光敏电阻 C: 光电真空管 D: 光敏二极管