本征锗中掺入III价元素杂质，为（ ）型半导体。
A: 空穴
B: 施主
C: 电子
D: n型
A: 空穴
B: 施主
C: 电子
D: n型
A
举一反三
- 关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
- 本征硅中掺入Ⅴ价元素杂质，为（ ）型半导体。 A: 空穴 B: 电子 C: 受主 D: p型
- 在本征半导体(锗或硅)中掺入价元素,自由电子数远大于空穴数。这种半导体主要靠电子导电,故称为电子型半导体或N型半导体。
- 在本征半导体中掺入三价元素后形成以空穴为多数载流子的杂质半导体称为 A: N型半导体 B: P型半导体 C: 本征半导体 D: 杂质半导体
- 本征半导体掺入三价元素后成为 。N型半导体中的多数载流子是 。 A: N型半导体 B: P型半导体 C: 空穴 D: 电子
内容
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在本征半导体硅(或锗)中掺入少量磷元素(5价)所形成的半导体,是()半导体 A: P型 B: N型 C: 空穴型
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在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体。
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杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素形成的，掺入3价元素是N型半导体。（ ）
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P型半导体是在本征半导体中掺入少量（ ）价的杂质元素形成的。N型半导体是在本征半导体中掺入少量（ ）价的杂质元素形成的。
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下列关于P型或 N 型半导体说法正确的是( )。 A: 在硅或锗的晶体中掺入5价元素形成N型半导体,也称为空穴半导体 B: 在硅或锗的晶体中掺入5价元素形成N型半导体,也称为电子半导体 C: 在硅或锗的晶体中掺入5价元素形成P型半导体,也称为空穴半导体 D: 在硅或锗的晶体中掺入3价元素形成P型半导体,也称为电子半导体