关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-28 ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。 ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。 答案： 查看 举一反三 还原性气氛生成 n型半导体，以下缺陷反应生成阳离子填隙(Ma+yXb)型非化学计量化合物ZnO(s)=Zni +e’+1/2O2(g) （ ） 在纯净的硅晶体中半导体内掺入磷元素，就形成 。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.I型半导体 D.导体 A: P型半导体 B: N型半导体 C: 导体 下面属于n型半导体的是（） A: ZnO B: NiO C: CuO D: CuO 下面属于n型半导体的是（ ） A: CuO B: NiO C: ZnO D: Cu2O 下面不属于n型半导体的是() A: ZnO B: NiO C: Cu2O D: CuO
