还原性气氛生成 n型半导体，以下缺陷反应生成阳离子填隙(Ma+yXb)型非化学计量化合物ZnO(s)=Zni +e’+1/2O2(g) （ ）
举一反三
- 非化学计量化合物Cd1+xO中存在( ) 型晶格缺陷? 阳离子空位|阳离子填隙|阴离子填隙|阴离子空位
- 18032fe94a775cb.png 属于非化学计量化合物，由于在组成上偏离化学计量产生的缺陷为（ ）。 A: 阴离子缺位型 B: 阳离子填隙型 C: 阴离子填隙型 D: 阳离子缺位型
- 非化学计量化合物Cd1+xO中存在( ) 型晶格缺陷 A: 阴离子空位 B: 阳离子空位 C: 阴离子填隙 D: 阳离子填隙
- 非化学计量化合物Cd1+xO中存在( ) 型晶格缺陷 A: 阴离子空位 B: 阳离子空位 C: 阴离子填隙 D: 阳离子填隙
- 非化学计量化合物Cd1+xO中存在( ) 型晶格缺陷 A: 阴离子空位 B: 阳离子空位 C: 阴离子填隙 D: 阳离子填隙