芯片互连、铝垫互连或者反向打线的产品，植球的铝垫上焊线残留与相邻的（）、（）、（）之间的间距小于10um为不良。
A: 焊线
B: 焊球
C: 芯片
D: 管腿
A: 焊线
B: 焊球
C: 芯片
D: 管腿
举一反三
- 芯片互连、铝垫互连或者反向打线的产品，植球的铝垫上焊线残留与相邻的焊线、焊球、芯片之间的间距小于1倍线径为不良。
- 芯片互连、铝垫互连或者反向打线的产品，植球的铝垫上金线与芯片表面的间距（L）小于（）为不良。 A: 5um B: 10um C: 20um D: 1倍线径
- 芯片向芯片连线及焊点之间互连时铝垫间距＞10um时要采用（）方法连接。 A: 焊点间植球 B: 焊点间连线 C: 普通连线 D: 反向打线
- 互连层是通过（）等方法来实现芯片与焊球之间的内部连接的
- 线弧与线弧之间、线弧与芯片边缘、线弧与其他管脚间距小于（）为不良。 A: 10um B: 20um C: 1倍线径 D: 1.5倍线径