• 2022-06-28
    IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()
    A: Na+
    B: Ca2+
    C: K+、Cl-,尤其是Cl-
    D: Na+、K+、Cl-,尤其是K+
    E: Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
  • C

    内容

    • 0

      "抑制性突触后电位()的形成机制是由于突触后膜对哪种离子通透性增加引起的? A: Na+、K+、Cl-,尤其Na+ B: Na+、K+、Cl-,尤其Cl- C: K+、Cl-,尤其Cl- D: K+、Cl-,尤其K+ E: Ca2+、Na+,尤其Ca2+"

    • 1

      下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位,正确的是 A: Na+、Cl-,尤其Na+ B: K+、Cl-,尤其是Cl- C: Na+、K+,尤其是Na+ D: Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+

    • 2

      IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的( ) A: K+、Na+,尤其是K+ B: K+、Na+,尤其是Na+ C: Ca2+、K+、Cl-,尤其是K+ D: K+、Cl-,尤其是Cl-

    • 3

      IPSP是由于突触后膜对某些离子的通透性增加而产生的,主要是( )。 A: K+、Na+,尤其是K+ B: K+、Na+,尤其是Na+ C: Ca2+、Na+、Cl-,尤其是CI- D: K+、Cl-,尤其是Cl- E: Ca2+、Cl-,尤其是Ca2+

    • 4

      EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的( ) A: K+、Na+、尤其是K+ B: K+、Na+、尤其是Na+ C: K+、Na+、Cl-尤其是Cl- D: Ca2+、K+、Cl-,尤其是Cl- E: K+、Cl-,尤其是Cl-