可控硅正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）
A: 100V
B: 120V
C: 150V
D: 180V
A: 100V
B: 120V
C: 150V
D: 180V
A
举一反三
内容
- 0
在控制极开路时,可以重复加在晶闸管A、K两极间的正向峰值电压。通常规定该电压比正向转折电压小()左右。 A: 150V B: 50V C: 100V D: 无法确定
- 1
常温下，硅二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。锗二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。
- 2
在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。
- 3
晶闸管反向重复峰值电压（有称反向阻断峰值电压）规定比反向击穿电压小（）V。 A: A50 B: B80 C: C100 D: D120
- 4
二极管的正向特性曲线中有一段“死区电压”，硅管的死区电压约为（ ）V；锗管的死区电压约为（ ）V。