【填空题】常温下,硅二极管的死区电压为()V,导通后正向压降为()V,锗二极管的死区电压为()V,导通后正向压降为()V
举一反三
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 【填空题】硅二极管的死区电压为 V,锗二极管的死区电压为 V;硅二极管的导通电压为 V,锗二极管的导通电压为 V
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- 常温下，硅二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。锗二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。
- 在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。