烧结末期的主要特征包括（）。
A: 传质继续，晶界移动
B: 晶粒长大形成闭气孔
C: 晶界带动部分气孔至表面消失
D: 气孔率下降
A: 传质继续，晶界移动
B: 晶粒长大形成闭气孔
C: 晶界带动部分气孔至表面消失
D: 气孔率下降
举一反三
- 烧结中期的主要特征包括（）。 A: 颗粒之间点接触变面接触 B: 传质开始，形成晶界 C: 颗粒总面积下降 D: 气孔缩小为孤立气孔
- 有关陶瓷烧结中的晶粒生长，下面哪个说法错误？ A: 气孔能够抑制晶粒生长。 B: 晶界移动速率过快，容易包裹气孔在晶粒内部 C: 晶界弯曲导致晶界移动有驱动力。 D: 为了提高烧结密度，不仅温度应越高越好，而且粉体应该大小不一。
- 材料烧结时,晶粒生长是晶界移动的结果,为保证晶粒正常生长,应控制晶界移动速率与气孔移动速率,当()时,晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb< D: 二者没有关系
- 烧结的微观特征包括:( ) A: 颗粒由点接触变为面接触直至形成晶界; B: 气孔由贯通气孔变为闭气孔; C: 气孔尺寸由大变小; D: 体积收缩、致密度增加。
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18032fe8cb9ff0a.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18032fe8d3c89dc.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: VbVp C: VbVp D: 二者没有关系