MOS晶体管属于电压控制器件，漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制，与漏源电压VDS无关。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
内容
- 0
中国大学MOOC: 工作于饱和区的MOS晶体管，漏源电流IDS几乎不随漏源电压VDS变化。
- 1
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。 A: 栅源电流 B: 栅源电压 C: 漏源电流 D: 漏源电压
- 2
场效应晶体管是用（ ）控制漏极电流的 。 A: 栅源电压 B: 漏源电压 C: 栅源电流 D: 漏源电流
- 3
场效应晶体管是用（ ）控制漏极电流的 。 A: 栅源电压 B: 漏源电压 C: 栅源电流 D: 漏源电流
- 4
场效应晶体管是用（ ）控制漏极电流的 。 A: 栅源电压 B: 漏源电压 C: 栅源电流 D: 漏源电流