P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS

​场效应管的静态工作点由哪些参数决定‍ A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS

‌场效应管的静态工作点由哪些参数决定‍ A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS

N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN

对于Al栅管，___大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，___大，击穿电压大（ ）。 A: VGS，VDS B: VDS，VGS C: VGS，IDS D: IGS，VDS

P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。

N沟道结型场效应管工作在线性放大区时， （ ） A: VGS为正电压，VDS为正电压 B: VGS为正电压，VDS为负电压 C: VGS为负电压，VDS为正电压 D: VGS为负电压，VDS为负电压

P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS可正、可负、可为零,vDS为负; B: vGS可正、可负、可为零,vDS为正; C: vGS为正,vDS可正、可负、可为零; D: vGS为负,vDS可正、可负、可为零。