设有一个电子在宽为0.20 nm一维无限深的方势阱中，电子在最低能级的能量为______
A: 7.43 eV
B: 8.43 eV
C: 9.43 eV
D: 10.43 eV
A: 7.43 eV
B: 8.43 eV
C: 9.43 eV
D: 10.43 eV
举一反三
- 设有一个电子在宽为0.20 nm一维无限深的方势阱中，电子在最低能级的能量为______ A: 7.43 eV B: 8.43 eV C: 9.43 eV D: 10.43 eV
- 中国大学MOOC: 设有一个电子在宽为0.20 nm的一维无限深方势阱中，电子在最低能级的能量为______
- 一电子(静止质量为[img=104x26]1802d09a7dbc9fd.png[/img])被限制在宽度为[img=10x14]1802d09a864118f.png[/img]的一维无限深方势阱(在[img=77x19]1802d09a8f56e1f.png[/img]范围内，势能函数[img=36x19]1802d09a9756d0d.png[/img])中，其基态能量为5.00 eV，则其第一激发态的能量为 A: 1.25 eV B: 2.50 eV C: 10.0 eV D: 15.0 eV E: 20.0 eV
- 设有一电子在宽为 0.2 nm 的一维无限深的势阱中. 计算电子在最低能级的能量.
- 设有一电子在宽为[tex=3.286x1.0]ZQUaeiqmvkLtVZJ4jlrAnw==[/tex]的一维无限深的方势阱中.计算电子在最低能级的能量