pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。
错
举一反三
内容
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势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
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关于半导体二极管说法正确的是：（）。 A: 加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 B: 加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 C: 加反向电压时耗尽层变薄 D: 加反向电压时耗尽层变厚
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一个硅pn结，载流子的净产量将存在于：（）。 A: 平衡pn结的势垒区中 B: 正向pn结的势垒区中 C: 反向pn结的势垒区中 D: 正向pn结的扩散区中
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突变pn结势垒区中的电场强度是位置x的线性函数
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当PN结加反向电压(反向偏置)时,势垒电压减小。