当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
举一反三
- pn结外加正向偏压时,以下关于势垒区的说法正确的有() A: 势垒区宽度变窄; B: 势垒区宽度变宽; C: 势垒高度变小; D: 势垒高度增大;
- pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。
- 一个硅pn结，载流子的净产量将存在于：（）。 A: 平衡pn结的势垒区中 B: 正向pn结的势垒区中 C: 反向pn结的势垒区中 D: 正向pn结的扩散区中
- 势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
- 当PN结加反向电压(反向偏置)时,势垒电压减小。