通过测试突变p+n结的势垒电容与反偏电压的关系，可以获得內建势垒Vd，但得不到n区掺杂浓度。
举一反三
- 势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
- 1、PN结正偏时的势垒电容小于反偏时的势垒电容。
- PN结具有电容特性，其中正偏时PN结电容以______电容为主，反偏时结电容以______电容为主。利用______电容可以制成变容二极管。 A: 扩散 势垒 势垒 B: 扩散 势垒 扩散 C: 势垒 扩散 势垒 D: 势垒 扩散 扩散
- 7、PN结势垒电容与掺杂浓度的关系：掺杂浓度越高，势垒电容（ ）。 A: A 先增大后减小 B: B 越小 C: C 不变 D: D 越大
- PN结势垒电容与轻掺杂浓度有关,浓度越大,电容越大;而反向偏压越大,势垒电容减大。(<br/>)