n型半导体，随着掺杂浓度减少，费米能级（ ）。
A: 向导带底靠近
B: 向下朝禁带中央靠近
C: 向下朝价带顶靠近
D: 向上朝禁带中央靠近
A: 向导带底靠近
B: 向下朝禁带中央靠近
C: 向下朝价带顶靠近
D: 向上朝禁带中央靠近
举一反三
- n型半导体中杂质能级一般位于半导体能带中什么位置(<br/>) A: 禁带中央附近 B: 导带底下方,靠近导带底 C: 价带顶上方,靠近价带顶 D: 导带中,靠近导带底
- p型半导体，随着掺杂浓度增加，费米能级（ ）。 A: 上升靠近导带底 B: 下降靠近价带顶 C: 不变 D: 上升靠近本征费米能级
- 有效的复合中心能级位置在（ ）附近。 A: 费米能级处 B: 靠近导带底 C: 靠近价带顶 D: 禁带中央
- n型半导体的费米能级位于什么位置？ A: 价带内 B: 禁带内靠近价带顶部 C: 禁带中部 D: 禁带内靠近导带底部
- 以下关于快态能级的位置正确的是（ ）。 A: 靠近导带底 B: 靠近价带顶 C: 禁带中央 D: 整个禁带中