硅片的少子寿命是指非平衡少数载流子从产生到复合所需的平均时间。
正确
举一反三
- 少子寿命的概念是 A: 少数载流子受激发从产生到复合的时间，单位为微秒 B: 少数载流子受激发从产生到复合的时间，单位为毫秒 C: 少数载流子受激发从产生到复合的时间，单位为纳秒 D: 载流子受激发从产生到复合的时间，单位为微秒
- 通常所说的非平衡载流子的寿命，是指少数载流子的寿命。 A: 正确 B: 错误
- 1、关于少子寿命的说法，哪个是不正确的 A: 少子寿命是载流子的平均存在时间 B: 少子寿命可以衡量半导体质量的好坏 C: 复合作用越强，少子寿命越短 D: 少子寿命的长短与缺陷和杂质有关
- 半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。通常所说的非平衡载流子是指非平衡少子。 A: 正确 B: 错误
- 关于非平衡载流子的说法，正确的有： A: 一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。 B: 小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。 C: 非平衡少数载流子起重要作用。 D: 非平衡多数载流子起重要作用。
内容
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非平衡载流子的净复合=复合-产生。
- 1
杂质在半导体中所起的作用不包括以下的()。 A: 提供载流子 B: 作为复合中心 C: 作为少子陷阱 D: 产生非平衡载流子
- 2
直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命主要决定于（ ）。 A: 少子浓度 B: 多子浓度 C: 非平衡少子浓度
- 3
对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（） A: 平衡载流子浓度成正比 B: 非平衡载流子浓度成正比 C: 平衡载流子浓度成反比 D: 非平衡载流子浓度成反比
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通常所说的非平衡载流子都是指非平衡少数载流子。（ ） A: 正确 B: 错误