金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势[img=19x22]1802f7f8e4ae8db.png[/img]为( )。
A: 正
B: 负
C: 零
D: 无法判断
A: 正
B: 负
C: 零
D: 无法判断
举一反三
- 均匀掺杂的n型半导体理想MIS结构，在金属和半导体中施加从零开始逐渐增加的正电压，则随着正电压增加，MIS结构的电容值越来越接近绝缘层电容。
- 某理想MIS(n型半导体衬底)结构中,若在金属栅上加足够高正电压,则以下______说法错误。 A: 金属的费米能级比半导体低 B: 半导体表面势为正 C: 半导体表面能带向下弯曲 D: 半导体表面处于积累状态 E: 以上说法都不对
- 由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（）。 A: n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压 B: n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压 C: p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压 D: p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
- P型半导体构成的MIS结构，若[img=74x22]1803a1b0c278ac8.png[/img]，假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时，则其平带电压( )。 未知类型：{'options': ['', '', '', '无法判断'], 'type': 102}
- 空穴为少子的半导体称为( ) A: P型半导体 B: N型半导体 C: 纯净半导体 D: 金属导体