均匀掺杂的n型半导体理想MIS结构，在金属和半导体中施加从零开始逐渐增加的正电压，则随着正电压增加，MIS结构的电容值越来越接近绝缘层电容。
举一反三
- MIS结构的电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷层电容的并联
- 如果在理想的MIS结构中的绝缘层中存在位置固定的负电荷分布，这些负电荷的总量不随金属和半导体之间施加的电压而变化，在与理想结构的电容-电压特性相比，电容-电压特性向正电压方向发生平移。
- 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。
- 金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势[img=19x22]1802f7f8e4ae8db.png[/img]为( )。 A: 正 B: 负 C: 零 D: 无法判断