对于理想MIS结构（半导体为p型），功函数差造成C-V特性曲线向右偏移，此时（ ）
A: Wm＜Ws
B: Wm＞Ws
C: Wm=Ws
D: 无法比较
A: Wm＜Ws
B: Wm＞Ws
C: Wm=Ws
D: 无法比较
举一反三
- 金属与n 型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（ ） A: Wm＞Ws B: 其他 C: Wm =Ws D: Wm ＜Ws
- 金属与N型半导体形成阻挡层，满足（） A: Wm>Ws B: Wm<Ws C: Wm= Ws D: 无法确定
- 金属和某半导体接触形成电子阻挡层的条件是（ ）。 A: Wm＞Ws，n型 B: Wm＞Ws，p型 C: Wm＜Ws，n型 D: Wm＜Ws，p型
- 在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？ A: 金属和n型半导体接触，Wm>;Ws B: 金属和n型半导体接触，Wm<;Ws C: 金属和p型半导体接触，Wm>;Ws D: 金属和p型半导体接触，Wm<;Ws
- 金属与n型半导体形成阻挡层,其功函数需满足(),该结构正向电流的方向是()。 A: Wm>Ws B: Wm C: Wm=Ws D: 从金属到半导体 E: 从半导体到金属