在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？
A: 金属和n型半导体接触，Wm>;Ws
B: 金属和n型半导体接触，Wm<;Ws
C: 金属和p型半导体接触，Wm>;Ws
D: 金属和p型半导体接触，Wm<;Ws
A: 金属和n型半导体接触，Wm>;Ws
B: 金属和n型半导体接触，Wm<;Ws
C: 金属和p型半导体接触，Wm>;Ws
D: 金属和p型半导体接触，Wm<;Ws
A
举一反三
- 金属和某半导体接触形成电子阻挡层的条件是（ ）。 A: Wm＞Ws，n型 B: Wm＞Ws，p型 C: Wm＜Ws，n型 D: Wm＜Ws，p型
- 在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成电子阻挡层？ A: 金属和n型半导体接触，Wm>Ws B: 金属和n型半导体接触，Wm<Ws C: 金属和p型半导体接触，Wm>Ws D: 金属和p型半导体接触，Wm<Ws
- 金属与p型半导体接触时，若WM＜WS，形成p型阻挡层。
- 金属与N型半导体形成阻挡层，满足（） A: Wm>Ws B: Wm<Ws C: Wm= Ws D: 无法确定
- 金属与n 型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（ ） A: Wm＞Ws B: 其他 C: Wm =Ws D: Wm ＜Ws
内容
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金属与n型半导体形成阻挡层,其功函数需满足(),该结构正向电流的方向是()。 A: Wm>Ws B: Wm C: Wm=Ws D: 从金属到半导体 E: 从半导体到金属
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当金属与n型半导体接触时，若Wm＞Ws，则在半导体表面形成一个高阻的区域，常称为反阻挡层。
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在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？? 金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触|金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
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在实际情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？ A: 金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触 B: 金属和n型半导体接触，形成电子阻挡层，即为欧姆接触 C: 金属和p型半导体接触，形成空穴阻挡层，即为欧姆接触 D: 金属和n型半导体接触，形成电子反阻挡层，即为欧姆接触 E: 金属和p型半导体接触，形成空穴反阻挡层，即为欧姆接触
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对于理想MIS结构（半导体为p型），功函数差造成C-V特性曲线向右偏移，此时（ ） A: Wm＜Ws B: Wm＞Ws C: Wm=Ws D: 无法比较