• 2022-07-01
    CRH1动车组IGBT的静态特性主要有()
    A: 伏安特性
    B: 转移特性
    C: 动静特性
    D: 开关特性
  • A,B,D

    内容

    • 0

      TTL集成门外特性包括()。 A: 电压传输特性 B: 输入伏安特性 C: 输入电阻特性 D: 输出伏安特性

    • 1

      ( )P-MOSFET的一般特性有转移特性、输出特性、开关特性。

    • 2

      IGBT并联需要考虑() A: 静态特性 B: 动态特性 C: 损耗 D: 效率

    • 3

      调节系统的( )有着无差特性与有差特性两种。 A: 动特性 B: 静特性 C: 波动特性 D: 静态特性

    • 4

      @二极管的伏安特性有( ) A: 输入特性 B: 输出特性 C: 正向和反向伏安特性 D: 阻抗特性