简述N型半导体中载流子浓度随温度的变化关系
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举一反三
- N型半导体中的多数载流子浓度受温度的影响很大。
- （）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而P型半导体中（）浓度高于电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。
- N型半导体中的多数载流子浓度受温度的影响很大。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: N型半导体中的多数载流子浓度受温度的影响很大。
- 关于“载流子浓度随温度的变化”，以下说法正确的是： A: 低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化 B: 强电离区，载流子浓度不随温度变化 C: 本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化 D: 强电离区，载流子浓度随温度按指数规律变化 E: 本征激发区，载流子浓度不随温度变化 F: 低温区，载流子浓度不随温度变化
内容
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N 型半导体少数载流子空穴的浓度_ ________ 本征半导体载流子空穴的浓度
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半导体分为（）型半导体和（）型半导体，P型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（），N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
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霍尔电动势随温度变化的原因有（ ）。 A: 霍尔元件的灵敏度随温度发生变化； B: 内阻随温度发生变化； C: 霍尔系数随温度发生变化； D: 半导体材料的电阻率、载流子浓度和迁移率随温度变化。
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在杂质半导体中,多数载流子的浓度与杂质浓度有关,N型半导体中的少数载流子是( )。 A: 自由电子 B: 空穴
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室温范围，n型半导体的电阻率随温度升高如何变化？