（5）用理想不可压缩流体恒定平面势流理论求解物体绕流的速度势时，在物面上（）A.[mathjaxinline]\vec{u}=0[/mathjaxinline]B.[mathjaxinline]\varphi=0[/mathjaxinline]C.[mathjaxinline]\varphi=C[/mathjaxinline]（C为常数）D.[mathjaxinline]\frac{\partial\varphi}{\partialn}=0[/mathjaxinline]（滑移条件，即法向流速等于零）请选择正确答案：
举一反三
- （7）已知平面不可压流动的流速势函数[mathjaxinline] \varphi =0.04x^3+axy^2+by^3 [/mathjaxinline] ，x，y的单位为m， [mathjaxinline] \varphi [/mathjaxinline]的单位为m2/3，流体的密度为1000kg/m3，则（ ）
- 选择正确答案填入空内：使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline]
- （1）电路如下图所示，已知集成运放为理想运放，计算电压放大倍数表达式为[mathjaxinline]A_{\rm {uf}}[/]=_____。 A: [mathjaxinline]\frac{R_2}{R_1}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]1+\frac{R_2}{R_1}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]\frac{R_2+R_3}{R_1}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]1+\frac{R_3}{R_1}[/mathjaxinline]
- For the true value table, what is the corresponding logic expression? A: [mathjaxinline]AB + A\bar B[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]AB + \bar AB[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]AB + AB[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]AB + \bar A\bar B[/mathjaxinline]
- （1）已知在拉格朗日变数下的速度表达式为[mathjaxinline] u_x=(a+1)e^t-1 [/mathjaxinline]，[mathjaxinline] u_y=(b+1)e^t-1 [/mathjaxinline] ，式中a、b为t=0时流体质点所在的位置坐标。则（ ） A.流体质点的一般运动规律为 [mathjaxinline] x=(a+1)e^t-t-1 [/mathjaxinline], [mathjaxinline] y=(b+1)e^t-t-1 [/mathjaxinline] B.无法求出流体质点的一般运动规律 C.拉格朗日变数下流体质点的加速度为 [mathjaxinline] a_x=(a+1)e^t[/mathjaxinline], [mathjaxinline] a_y=(a+1)e^t[/mathjaxinline] D.无法求得欧拉变数下流体质点的加速度