中国大学MOOC: n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。
举一反三
- 中国大学MOOC: n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。
- n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（）。 A: 可调电阻区的电压范围为 B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系 D: 越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
- 中国大学MOOC: 对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。（ ）
- n沟增强型MOSFET的衬底材料为___半导体，在工作时通常源端接___。（） A: n型，电源电压 B: n型，地 C: p型，电源电压 D: p型，地
- n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['可调电阻区的电压范围为[img=132x22]18036f7dd8aa4fc.png[/img]', '近漏处比近源处的沟道厚度要小', '此时沟道区呈现电阻特性，电流[img=27x22]18036f7de16c892.png[/img]与[img=29x22]18036f7dea87386.png[/img]基本上是线性关系', '18036f7df2a3661.png越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大'], 'type': 102}