n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（）。
A: 可调电阻区的电压范围为
B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小
C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系
D: 越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
A: 可调电阻区的电压范围为
B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小
C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系
D: 越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
D
举一反三
- n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系 D: VGS越大，沟道电阻越大
- n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系 D: VGS越大，沟道电阻越大
- n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['可调电阻区的电压范围为[img=132x22]18036f7dd8aa4fc.png[/img]', '近漏处比近源处的沟道厚度要小', '此时沟道区呈现电阻特性，电流[img=27x22]18036f7de16c892.png[/img]与[img=29x22]18036f7dea87386.png[/img]基本上是线性关系', '18036f7df2a3661.png越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大'], 'type': 102}
- n沟道增强型MOSFET工作于电流源区的条件是______ ，工作于电阻区的条件是______ 。
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。 A: 此时满足条件 B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为 D: 沟道夹断区为耗尽区
内容
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中国大学MOOC: n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。
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n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 A: 此时满足条件VDS>VGS-VTH B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为VGS-VTH D: 沟道夹断区为耗尽区
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n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]180315a6a2e4480.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]180315a6aaf567e.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
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n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]17de937fd746675.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]17de937fe3baa07.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
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N沟道MOSFET中,VGS越大,则沟道中的电子就越(),沟道电阻就越(),漏极电流就越()。