举一反三
内容
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下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18eV，电子亲合势为4.0eV，导带底有效状态密度为1.0×10^19cm^-3，则Si-SiO2界面处的电子浓度为cm^-3【图片】
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硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。
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下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为http://img2.ph.126.net/qJMaOCFsxsdo2Qg5Q7ErqA==/6632289323121327014.png，则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )http://img0.ph.126.net/pf-CEXqrXIhZsTeJpV_8qg==/6632735724839600580.png。 http://edu-image.nosdn.127.net/13871E3683BC626BA9A58B97A93724F5.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100
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下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为[img=94x24]1803c7aa2e1960a.png[/img]，则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )[img=40x22]1803c7aa36d025d.png[/img]。 [img=659x400]1803c7aa4327dae.png[/img] 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
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下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为[img=94x24]1803b2f6a84b555.png[/img]，则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )[img=40x22]1803b2f6b179bee.png[/img]。 [img=659x400]1803b2f6bd5b357.png[/img] 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}