雪崩击穿电压和PN结的掺杂浓度及构成PN结的材料有关，材料的禁带宽度越高，越不易击穿。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
内容
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制备了一批突变pn结，给每个pn结不断增加反偏电压的值，直到pn结击穿。有的pn结发生雪崩击穿，有的pn结发生齐纳击穿。pn结发生雪崩击穿的电压普遍高于发生齐纳击穿的电压。
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参数相同的情况下，硅PN结的雪崩击穿电压大于锗PN结的雪崩击穿电压。
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雪崩击穿通常发生在掺杂浓度较低的PN结中。 （ ）
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PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR( )
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有关PN结的反向击穿，说法正确的是： A: PN结的反向击穿，有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿三种 B: 雪崩击穿、齐纳击穿属于电击穿，当外加电压撤除时，PN结能还原 C: 稳压二极管就是利用PN结的反向击穿原理制作的 D: 热击穿后，当温度降低后，PN结可还原。