杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，晶格振动声子的散射概率 ( )
A: 变小
B: 变大
C: 不变
D: 不确定
A: 变小
B: 变大
C: 不变
D: 不确定
举一反三
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，晶格振动散射概率和对应的迁移率分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 半导体中的载流子在输运过程中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
- 2. 半导体中的载流子在运输过程中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ ）。A. 变大，变小 B. 变小，变大 C. 变小，变小 D. 变大，变大 A: A B: B C: C D: D