杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，晶格振动散射概率和对应的迁移率分别是（ ）
A: 变大，变小
B: 变小，变大
C: 变小，变小
D: 变大，变大
A: 变大，变小
B: 变小，变大
C: 变小，变小
D: 变大，变大
举一反三
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 半导体中的载流子在输运过程中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。 A: 变大，变大 B: 变小，变小 C: 变小，变大 D: 变大，变小
- 如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（ ）。 A: 变大，变大 B: 变大，变小 C: 变小，变大 D: 变小，变小
- 当温度升高时，电离杂质散射的概率，以及降低时晶格振动声子 的散射概率的变化分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大