pn结的空间电荷区是由于（）行为产生的。
A: 扩散
B: 漂移
C: 移动
D: 复合
A: 扩散
B: 漂移
C: 移动
D: 复合
举一反三
- PN结的形成过程可以简述如下： A: 多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡 B: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡 C: 少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡 D: 少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
- PN结的形成过程可以简述如下:() A: 多子扩散,空间电荷区出现,少子漂移,达到动态平衡 B: 少子漂移,多子扩散,空间电荷区出现,达到动态平衡 C: 多子扩散,少子漂移,空间电荷区出现,达到动态平衡 D: 少子漂移,空间电荷区出现,多子扩散,达到动态平衡
- 关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（） A: 空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动 B: 空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动 C: 当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚 D: 当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄
- 关于PN结说法正确的是（） A: 多子的扩散的结果是使空间电荷区逐渐变窄，空间电荷区越窄，形成内电场。 B: P 型半导体和N 型半导体，在它们的交界面经过载流子的扩散和漂移，形成PN 结。 C: 内电场越强，使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 D: 扩散和漂移是一对相反的运动，最终达到平衡，电荷区内仍有净电荷运动，其厚度会变化
- PN结的形成：由多子的扩散运动—形成空间电荷区—产生内电场—促使少子漂移，阻止多子扩散—扩散的电子数和漂移的空穴数相等时达到动态平衡，空间电荷区的宽度固定，此时的空间电荷区叫做（ ）。