在设计与制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当()基区宽度,()基区掺杂浓度。
举一反三
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法( )。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度
- 17、在材料相同、掺杂浓度分布相同、基区宽度相同的条件下,PNP晶体管的电流放大系数小于NPN晶体管的电流放大系数。
- 制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
- 晶体管的基区输运系数是指()电流与()电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生(),从而使基区输运系数()。为了提高基区输运系数,应当使基区宽度()基区少子扩散长度。
- 下列双极型晶体管中,最容易发生基区穿通现象的是( )。 A: 基区掺杂浓度比集电区低,基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低,基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低,基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低,基区宽度较小