在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
减小；降低
举一反三
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度
- 17、在材料相同、掺杂浓度分布相同、基区宽度相同的条件下，PNP晶体管的电流放大系数小于NPN晶体管的电流放大系数。
- 制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
- 晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
内容
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对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
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对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
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制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 A: 正确 B: 错误
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中国大学MOOC: 制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。 A: 正确 B: 错误