关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-29 p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。 A: 正，电离施主杂质 B: 正，电离施主杂质和空穴 C: 负，电离受主杂质 D: 负，电离受主杂质和电子 p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。A: 正，电离施主杂质B: 正，电离施主杂质和空穴C: 负，电离受主杂质D: 负，电离受主杂质和电子 答案： 查看 举一反三 p型空间电荷区由（ ）构成。 A: 电子 B: 空穴 C: 带正电的电离施主杂质 D: 带负电的电离受主杂质 n型半导体低温弱电离时，导带中的电子主要由谁提供 A: 施主杂质电离 B: 本征激发 C: 施主杂质电离和本征激发 D: 二者都不提供 对于硅半导体，当施主杂质能级与费米能级重合时，则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为__________。 以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。 施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（） A: 杂质电离 B: 杂质补偿 C: 载流子复合 D: 载流子迁移
