一个以N-Si为衬底的理想MOS结构，强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是负的
举一反三
- 2、一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中 A: 其阈值电压应该是正的 B: 强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的 C: 积累状态时所加的栅电压应该是负的 D: 其费米势应该是负的
- 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中 A: 其阈值电压应该是正的 B: 其费米势应该是负的 C: 强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的 D: 积累状态时所加的栅电压应该是负的
- 中国大学MOOC: 若理想MOS结构的衬底是N-Si，则达到强反型时，空间电荷区中的电荷为负电荷
- P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是 的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是 的 A: 正，正 B: 正，负 C: 负，正 D: 负，负
- 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有()