当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。
A: 积累
B: 耗尽
C: 导通
D: 夹断
A: 积累
B: 耗尽
C: 导通
D: 夹断
举一反三
- 当MOSFET工作在饱和区时，它的导电沟道是连续的（沟道没有夹断区）。
- 什么是MOSFET器件的线性区？什么是沟道夹断？什么是饱和工作状态？什么是沟道长度调制效应？
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。 A: 此时满足条件 B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为 D: 沟道夹断区为耗尽区
- MOS管工作在饱和区时，满足条件VDS___VGS-VTH，夹断区是___区。（ ） A: >，耗尽 B: >，反型 C: <，耗尽 D: <，反型
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 A: 此时满足条件VDS>VGS-VTH B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为VGS-VTH D: 沟道夹断区为耗尽区