n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。
A: 此时满足条件
B: 沟道夹断点从源端向漏端移动
C: 沟道夹断点电压为
D: 沟道夹断区为耗尽区
A: 此时满足条件
B: 沟道夹断点从源端向漏端移动
C: 沟道夹断点电压为
D: 沟道夹断区为耗尽区
举一反三
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 A: 此时满足条件VDS>VGS-VTH B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为VGS-VTH D: 沟道夹断区为耗尽区
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]180315a6a2e4480.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]180315a6aaf567e.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]17de937fd746675.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]17de937fe3baa07.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
- 如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。（） A: 漏端，漏端 B: 漏端，源端 C: 源端，漏端 D: 源端，源端
- 中国大学MOOC: 如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。（ ）