下列关于导体、半导体、绝缘体的说法中,正确的是:
A: 只有满带和空带而无不满带的固体肯定不是导体
B: 除了有满带和空带外,还有不满带的固体为半导体
C: 在满带和空带之间,有能量间隔较大的禁带的固体为导体
D: 在满带和空带之间,有电子不能停留的能量间隔(禁带)的固体为绝缘体
E: 价电子能带为满带,导带全空,禁带宽度较小的固体为半导体
A: 只有满带和空带而无不满带的固体肯定不是导体
B: 除了有满带和空带外,还有不满带的固体为半导体
C: 在满带和空带之间,有能量间隔较大的禁带的固体为导体
D: 在满带和空带之间,有电子不能停留的能量间隔(禁带)的固体为绝缘体
E: 价电子能带为满带,导带全空,禁带宽度较小的固体为半导体
E
举一反三
- T=0K时，导体的导带为（），半导体的导带为（）。 A: 半满带，满带 B: 半满带，空带 C: 满带，空带 D: 空带，半满带
- 半导体与绝缘体的区别在于： A: 半导体有满带和空带，绝缘体有不满带 B: 半导体的带隙小，绝缘体的带隙大 C: 半导体的带隙大，绝缘体的带隙小 D: 半导体有不满带，绝缘体有满带和空带
- 既然满带中电子不导电，不满带中电子导电，那么绝缘体的能带不是满带就是（） A: 满带 B: 空带 C: 不满带 D: 禁带
- 下列关于晶体导电能力说法正确的包括： A: 若电子刚好填满能量最低的一系列能带，而能量再高的各能带都是没有电子填充的空带，则该晶体不能导电 B: 导体的电子除填满能量最低的一系列能带外，在满带和空带间还有部分填充的导带 C: 绝缘体的禁带宽度一般都较宽 D: 半导体能带中只有满带和空带
- 下列关于晶体导电能力说法错误的是： A: 若电子刚好填满能量最低的一系列能带，而能量再高的各能带都是没有电子填充的空带，则该晶体能导电 B: 导体的电子除填满能量最低的一系列能带外，在满带和空带间还有部分填充的导带 C: 绝缘体的禁带宽度一般都较宽 D: 半导体能带中只有满带和空带
内容
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以下材料属于导体的是： A: 价带未填满 B: 满的价带与空的导带间的禁带宽 C: 满带与空带重叠 D: 满的价带与空的导带间的禁带较小
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以下材料属于导体的是： A: 价带未填满 B: 满的价带与空的导带间的禁带宽 C: 满带与空带重叠 D: 满的价带与空的导带间的禁带较小
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关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是 A: 半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。 B: 半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。 C: 半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。 D: 半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
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与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是 A: 导带也是空带 B: 满带与导带重合 C: 满带中总是有空穴，导带中总是有电子 D: 禁带宽度较窄
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与绝缘体比较，半导体能带结构的特点是（ ） A: 满带与导带重合。 B: 导带也是空带。 C: 禁带宽度较窄。 D: 满带中总有空穴，导带中总有电子。